上海微系统所多项成果列入中科院改革开放四十年40项标志性重大科技成果

文章来源:上海微系统与信息技术研究所  |  发布时间:2018-12-19  |  【打印】 【关闭

  

  2018年是我国改革开放40周年,习近平总书记在庆祝改革开放40周年大会上发表了重要讲话,全面总结了我国改革开放的伟大成就。中科院以“三个面向”为线索,综合凝练归纳出40项具有代表性的标志性重大科技成果。上海微系统所多项成果列入中科院改革开放四十年40项标志性重大科技成果。

  在面向世界科技前沿方面:上海微系统所联合相关企业设计出低功耗、长寿命、高稳定性的钪--碲(Sc-Sb-Te)新型高速相变材料,对于我国突破国外技术壁垒、自主开发存储器芯片具有重要意义。该成果发表在Science正刊上,是国内先进存储技术关键核心材料领域的第一篇学术论文。

  在面向国家重大需求方面:上海微系统所历经30余年的努力,分别突破绝缘体上硅(SOI)和12英寸大硅片技术,先后成功研发出拥有核心自主知识产权的48英寸SOI12英寸大硅片并实现产业化,制定了我国首部SOI技术企业标准,打破了国外技术封锁,跻身国际高端硅基材料市场,是我国硅集成电路技术和微电子材料的重大突破。获2006年度国家科学技术进步奖一等奖、2007年度中国科学院杰出科技成就奖。

  在地球深部资源探测理论、技术与装备方面,上海微系统所研制的航空超导全张量磁梯度测量装置关键技术填补了国内空白,多项技术指标达到国际水平,打破国外垄断,支撑我国“向地球深部进军”。

  在北斗卫星导航系统系列卫星研制标志性成果方面,星载原子钟等关键单机及部件实现了国产化应用,上海微系统所为上海天文台研制的氢原子钟开发了国内首款300 krad(Si) KFS SOI伺服控制芯片“新辰芯”,取代进口FPGA芯片,实现氢原子钟芯片的百分之百国产化,并大幅提升KFS性能。此外,上海微系统所联合相关单位还研制了KFS SOI通信安全芯片“新微芯”。

  

  --碲(Sc-Sb-Te)新型高速相变材料

  

  极大规模集成电路关键技术