2月18日，2011年全国科技工作会议在北京召开。会议总结了2010年和“十一五”期间全国科技工作，部署“十二五”期间及2011年科技工作。中共中央政治局委员、国务委员刘延东，科技部部长万钢等参加了会议。

会上，科技部表彰了在“十一五”期间，为国家科技执行做出突出贡献的优秀团队和先进个人。中科院上海微系统与信息技术研究所所长王曦院士获得了“十一五”国家科技计划执行突出贡献奖，并作为获奖先进个人代表在大会作典型交流发言。

王曦于2009年当选中国科学院院士。他长期致力于载能离子束与固体相互作用物理现象研究，并将研究成果应用于电子材料SOI（Silicon-on-insulator）的开发。在对离子注入SOI合成过程中的物理和化学过程研究基础上，自主开发了一系列将SOI材料技术产业化的关键技术，建立了我国SOI材料研发和生产基地。在载能离子束与固体相互作用以及离子束辅助薄膜沉积技术研究方面，揭示了载能离子作用下薄膜表面微结构、相组分、电子学、光学、生物学特性，实现了载能离子束薄膜生长的可控制性。曾获国家科技进步一等奖及何梁何利基金科学与技术进步奖等多项奖励